Por: Lucio Gpe. Quirino R.
lquirino@uas.edu.mx
J.R.T. (B. S. S.)
Micron Technology ha presentado el primer módulo RDIMM DDR5 de 512 GB del mundo, utilizando empaquetado de interconexión vertical mediante vías a través de silicio para alcanzar velocidades de hasta 9.200 MT/s. Esta innovación incrementa la capacidad de memoria en servidores hasta 12 TB y reduce el consumo energético operativo en más del 60% frente a configuraciones tradicionales. Impulsado por la creciente demanda de inteligencia artificial y grandes modelos de lenguaje, el producto optimiza el rendimiento en cargas de trabajo intensivas. AMD e Intel ya validan el ecosistema, con una producción a gran escala prevista para el segundo semestre de 2027.
TradingKey – Micron Technology (MU) anunció el 15 de septiembre que ha demostrado con éxito el primer módulo RDIMM DDR5 de 512 GB del mundo con velocidades de hasta 9.200 MT/s en múltiples plataformas de servidores. Según el comunicado de prensa oficial de Micron, el módulo utiliza una avanzada tecnología de empaquetado de interconexión vertical, lo que permite que un solo servidor de doble zócalo y 24 ranuras admita hasta 12 TB de memoria DDR5, al tiempo que reduce el consumo eléctrico operativo en más de un 60% en comparación con cuatro RDIMM de 128 GB.
